芯東西（公眾號：aichip001）
作者 | ?高歌
編輯 | ?Panken
芯(xin)東(dong)西2月10日報道，今天，國產功率半導體廠商東(dong)微(wei)半導（股(gu)票代碼：688261）以發行價130元/股(gu)登陸(lu)科創(chuang)板。
開市后，東(dong)微(wei)半導(dao)股價有所上漲，最高漲至148元(yuan)/股，之后有所回(hui)落。截(jie)至芯東(dong)西成文(wen)，東(dong)微(wei)半導(dao)報(bao)138元(yuan)/股，漲幅6%，總市值92億元(yuan)。
東微半(ban)導的(de)產品(pin)主要應用(yong)于工業及(ji)汽(qi)車(che)等中大功率應用(yong)領域(yu)，是國內少數具備從專利到(dao)量產完整經驗的(de)高性能功率器件設計公(gong)司之(zhi)一，曾打破外國廠商充(chong)電樁(zhuang)用(yong)高壓超級(ji)結MOSFET器件壟斷，被《人民日報》所報道(dao)。
根據市場(chang)咨詢公司Omdia數據，以2019年(nian)MOSFET功率器件銷售額計(ji)算，東(dong)微半導在中國(guo)本(ben)土廠(chang)商(shang)中排名第七。報(bao)告期內，東(dong)微半導營(ying)收持續增長，2018年(nian)-2021年(nian)上(shang)半年(nian)各期營(ying)收分(fen)別為1.53億(yi)(yi)元(yuan)、1.96億(yi)(yi)元(yuan)、3.09億(yi)(yi)元(yuan)和3.21億(yi)(yi)元(yuan)。
由于東微半(ban)導股權較(jiao)為分散(san)，不(bu)存在控股股東，其實際控制人(ren)(ren)為公司(si)聯(lian)合創(chuang)始人(ren)(ren)王鵬飛和龔軼。
▲東微半導股權結構
本次IPO，東(dong)微半(ban)導計劃募(mu)集(ji)資金9.39億元，將分別用于(yu)“超級結與(yu)屏蔽柵(zha)功(gong)(gong)率器件產(chan)品升級及產(chan)業(ye)化(hua)(hua)”、“新結構功(gong)(gong)率器件研發(fa)及產(chan)業(ye)化(hua)(hua)”、“研發(fa)工程中心(xin)建設”和“科(ke)技與(yu)發(fa)展儲備資金”4個(ge)項目(mu)。
▲東微(wei)半導募集資(zi)金投資(zi)情況(kuang)
一、創始人研究登Science，直流充電樁產品打破國外廠商壟斷
東微半導的(de)前身東微有(you)限設立(li)于2008年9月，注冊資本10萬(wan)(wan)元，兩位聯(lian)合創始(shi)人王鵬(peng)飛、龔軼分別認繳5.5萬(wan)(wan)元和(he)4.5萬(wan)(wan)元。
王鵬飛(fei)和龔軼兩(liang)人均曾在(zai)國(guo)(guo)外留(liu)學(xue)，并(bing)就職于AMD、英(ying)飛(fei)凌等國(guo)(guo)際芯片巨(ju)頭(tou)。王鵬飛(fei)為德國(guo)(guo)慕尼黑工業大學(xue)博士，曾在(zai)英(ying)飛(fei)凌存儲器研發中心擔任研發工程(cheng)師，2006年5月擔任奇夢(meng)達(da)技術創新和集成部門研發工程(cheng)師。
2008年9月(yue)，王鵬(peng)(peng)(peng)飛(fei)(fei)和龔(gong)軼聯合創辦了東微有(you)限；2009年6月(yue)，王鵬(peng)(peng)(peng)飛(fei)(fei)成為復旦大(da)學(xue)微電子學(xue)院教授，并于2013年研制出全球首(shou)(shou)個半(ban)浮柵晶體管(guan)（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發表(biao)在頂級(ji)學(xue)術期刊Science上(shang)，這是我國微電子領域研究首(shou)(shou)次登上(shang)Science，新聞聯播和人民日報(bao)(bao)、青年報(bao)(bao)等都(dou)對(dui)此有(you)所報(bao)(bao)道。2021年4月(yue)至今，王鵬(peng)(peng)(peng)飛(fei)(fei)任東微半(ban)導首(shou)(shou)席技術官。
龔軼則為英國(guo)紐(niu)卡斯爾大學碩士(shi)，曾先后在AMD、英飛凌(ling)任工程師和技術(shu)專(zhuan)家；2020年(nian)11月至今，龔軼任東微半導(dao)董(dong)事(shi)長(chang)兼(jian)總經理(li)。
▲東微半導(dao)董事長(chang)、總經理龔軼
2016年(nian)4月，東微半導自(zi)主研發的(de)(de)650V、80A快恢復GreenMOS產品實現量產，并進入直(zhi)流充電(dian)樁領域(yu)，打破了這(zhe)一領域(yu)國外廠商的(de)(de)壟斷。
二、半年收入破3億，產品性能比擬氮化鎵器件
報告期(qi)內，東(dong)微半(ban)導營收持續增長，2018年(nian)(nian)(nian)-2020年(nian)(nian)(nian)其(qi)營收分(fen)別為1.53億元、1.96億元和3.09億元，復合(he)增長率(lv)為42.11%。2021年(nian)(nian)(nian)上半(ban)年(nian)(nian)(nian)，東(dong)微半(ban)導營收為3.21億元，超過2020年(nian)(nian)(nian)全(quan)年(nian)(nian)(nian)營收。
利(li)潤方面，東(dong)(dong)微半(ban)導2018年(nian)(nian)-2020年(nian)(nian)凈利(li)潤分別為1297.43萬(wan)元(yuan)、911.01萬(wan)元(yuan)和2768.32萬(wan)元(yuan)。2021年(nian)(nian)上半(ban)年(nian)(nian)，東(dong)(dong)微半(ban)導凈利(li)潤達(da)5180.53萬(wan)元(yuan)。
▲東微(wei)半導2018年-2021年上(shang)半年營收與凈(jing)利潤(run)變化
主(zhu)營業務(wu)上，東微半導的(de)主(zhu)要(yao)收入來(lai)源為高壓超級結MOSFET器(qi)件，2018年-2020年該產品收入占(zhan)比均超過80%。其產品主(zhu)要(yao)分(fen)為MOSFET和IGBT兩類，其中(zhong)MOSFET產品分(fen)為高壓超級結MOSFET、中(zhong)低壓屏蔽柵MOSFET和超級硅MOSFET三類，其IGBT產品則采(cai)用了(le)不同于國際主(zhu)流(liu)自研的(de)TGBT器(qi)件結構。
2020年，東微半導IGBT產品(pin)尚未實現營收。
▲2020年東微半導主營業務收(shou)入占比(bi)
具體來說，東(dong)微半(ban)導的(de)高(gao)壓超級(ji)結MOSFET工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)(dian)壓在400V以上，可(ke)用(yong)于工(gong)業(ye)LED照明、新能源汽車充電(dian)(dian)(dian)樁(zhuang)等(deng)，具有高(gao)頻、驅(qu)動簡單、抗(kang)擊(ji)穿性好等(deng)特點；其中(zhong)低壓屏蔽柵MOSFET器(qi)件一般工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)(dian)壓覆蓋25V-150V，主要應(ying)用(yong)于電(dian)(dian)(dian)池保護、電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅(qu)動器(qi)等(deng)；東(dong)微半(ban)導的(de)IGBT產品工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)(dian)壓包(bao)括(kuo)600V-1350V，適用(yong)于新能源汽車充電(dian)(dian)(dian)樁(zhuang)、變頻器(qi)、逆(ni)變器(qi)、電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅(qu)動、電(dian)(dian)(dian)焊機(ji)、太(tai)陽能等(deng)領域。
▲東微半導產品(pin)與應用范圍
東(dong)微半導的超(chao)級硅MOSFET則是其自(zi)主研(yan)發，對標氮化(hua)鎵功率(lv)(lv)器(qi)(qi)件(jian)(jian)的產(chan)品。招股書稱，通過調整器(qi)(qi)件(jian)(jian)結構(gou)、優化(hua)制(zhi)造工藝(yi)，其超(chao)級硅MOSFET產(chan)品突破了傳(chuan)統(tong)硅基功率(lv)(lv)器(qi)(qi)件(jian)(jian)的速度瓶頸，在電源應(ying)用中達(da)到了接近氮化(hua)鎵功率(lv)(lv)器(qi)(qi)件(jian)(jian)開關速度的水平。
相(xiang)比氮化(hua)鎵功率器件，該產(chan)(chan)品具(ju)有工(gong)藝成(cheng)熟(shu)度高(gao)、成(cheng)本低(di)、可靠性高(gao)等優勢，且東微(wei)半導正在推進超級硅(gui)系列產(chan)(chan)品在12英寸產(chan)(chan)線上(shang)的(de)量(liang)產(chan)(chan)。
▲東微超級(ji)硅65W PD快充DEMO與蘋果30W充電器體(ti)積對(dui)比（來源：東微半導）
報告(gao)期內，東微半(ban)導(dao)的(de)前五大客戶包(bao)括凱新達電(dian)子、睿創電(dian)子等，主要以經銷商(shang)為(wei)主，其(qi)主要終端(duan)客戶包(bao)括客戶A、高(gao)斯寶(bao)電(dian)氣、永聯科技、柏怡電(dian)子、明緯電(dian)子等。
▲東微半導2018年-2021年上半年前五大(da)客戶
由于(yu)東微半導(dao)采用Fabless（無晶圓(yuan)廠）模式，不直接從事芯片的生(sheng)產(chan)和(he)加工環(huan)節，其主要采購內容為晶圓(yuan)與封測服務。
報(bao)告(gao)(gao)期內，華(hua)(hua)虹半導(dao)(dao)體(ti)為其主要的晶圓供應(ying)商(shang)(shang)，2018年-2020年東微半導(dao)(dao)對華(hua)(hua)虹半導(dao)(dao)體(ti)的晶圓采(cai)(cai)購金額占總采(cai)(cai)購金額比例(li)均在80%以上。東微半導(dao)(dao)的主要封測服務供應(ying)商(shang)(shang)則為天水華(hua)(hua)天，報(bao)告(gao)(gao)期內其采(cai)(cai)購金額占比在10%以上。
▲東(dong)微(wei)半導2018年-2021年上半年前五大供應商
三、本土MOSFET廠商銷售額第七，研發人員占比46%
在功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)領域，國際廠(chang)商優勢明顯，全球前(qian)十大功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)公司均為海外廠(chang)商，包括英飛(fei)凌、德州儀器、安森美、意法(fa)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)、亞(ya)德諾、高通(tong)、瑞(rui)薩(sa)電子(zi)等。
當前(qian)東微半(ban)(ban)導(dao)的主要收(shou)入(ru)來源為硅基MOSFET產(chan)品，單一產(chan)品類(lei)別收(shou)入(ru)的占(zhan)比較高。在和行業龍(long)頭競爭時，東微半(ban)(ban)導(dao)在IGBT、功率器件模(mo)塊(kuai)等方(fang)面的技術儲備(bei)不足(zu)，品牌知(zhi)名度和影響(xiang)力均存在劣勢。
▲全球前十(shi)大功率半(ban)導體(ti)廠商(shang)及銷售額
同時，功率器件正不斷朝第三(san)代半(ban)導體(ti)材料(liao)方向發展，雖然(ran)東微(wei)半(ban)導已有(you)碳化(hua)硅功率器件的(de)樣品，但在第三(san)代半(ban)導體(ti)材料(liao)的(de)研(yan)發布局上落后于國(guo)際巨(ju)頭，未來存在競(jing)爭風險。
而在(zai)國內，東(dong)微半導(dao)是(shi)少數專注工業級(ji)(ji)高壓超級(ji)(ji)結(jie)MOSFET領(ling)域的(de)(de)半導(dao)體廠商，其高壓超級(ji)(ji)結(jie)MOSFET產品在(zai)TO247封裝體內同時實現(xian)了650V耐壓平臺以及最低14mohm導(dao)通電阻的(de)(de)規(gui)格，在(zai)性能方面已(yi)接近國際先進水(shui)平。
2016年4月，東微半導推出(chu)的(de)GreenMOS系列超級結MOSFET產(chan)品打(da)破了(le)國外廠商在充電樁(zhuang)功率器(qi)件(jian)領域(yu)的(de)壟斷地位(wei)。根據Omdia統計(ji)，2019年全球(qiu)(qiu)MOSFET銷(xiao)售額(e)為84.20億(yi)美元，東微半導MOSFET產(chan)品銷(xiao)售額(e)為2843萬(wan)美元，在本土廠商中排(pai)名第七，占全球(qiu)(qiu)0.34%的(de)市(shi)場份額(e)。
▲2019年中國本土(tu)領(ling)先(xian)功率半導體廠商MOSFET功率器件全球銷售收入
報(bao)告期(qi)內，東(dong)微半導的(de)(de)各期(qi)毛利率分別為26.38%、14.93%、17.85%和(he)26.75%。相比新潔(jie)能(neng)、華微電子、華潤(run)微、揚杰(jie)科技、士蘭(lan)微等國內同(tong)行業可比公司，東(dong)微半導的(de)(de)毛利率變化趨勢一致，但(dan)整(zheng)體毛利率水平(ping)存在差異。
▲東微半導與同行業可(ke)比公司(si)毛(mao)利率對比
招股書稱，這(zhe)主(zhu)要(yao)是因為主(zhu)營(ying)業務產(chan)(chan)品結構(gou)和生(sheng)產(chan)(chan)經(jing)營(ying)模式(shi)不同(tong)，如華(hua)微(wei)電子、華(hua)潤微(wei)和士蘭(lan)微(wei)等(deng)可比(bi)公(gong)司采用(yong)IDM模式(shi)，不涉(she)及(ji)晶圓的外(wai)部采購，毛利率受外(wai)部影(ying)響較低(di)；而(er)華(hua)微(wei)電子、華(hua)潤微(wei)、揚杰科技和士蘭(lan)微(wei)等(deng)可比(bi)公(gong)司產(chan)(chan)品種類相(xiang)對(dui)較多，產(chan)(chan)品結構(gou)相(xiang)對(dui)復雜，和東微(wei)半導專注(zhu)MOSFET產(chan)(chan)品的經(jing)營(ying)策略有(you)所不同(tong)。
值得(de)注意的是，雖然(ran)東微(wei)半(ban)導研發人(ren)(ren)員占(zhan)員工總數的比(bi)例(li)達46%，但由于(yu)公司(si)規模較小，其研發人(ren)(ren)員人(ren)(ren)數為31人(ren)(ren)，低于(yu)很多(duo)國(guo)內同行業上市公司(si)。
除首席技(ji)術官王鵬飛外，東微半導核心(xin)技(ji)術人員還包括研(yan)發(fa)總監(jian)劉磊、資深研(yan)發(fa)工程(cheng)(cheng)師(shi)劉偉和資深研(yan)發(fa)工程(cheng)(cheng)師(shi)毛振東。
劉(liu)磊碩士(shi)畢業于安徽大學電路與系統學院(yuan)，2007年9月(yue)至2009年7月(yue)，擔任(ren)華(hua)潤上華(hua)半導體科(ke)技有(you)(you)限公司技術轉(zhuan)移(yi)部(bu)工藝整合工程師；2009年7月(yue)加入東微有(you)(you)限。
劉(liu)偉本科(ke)畢(bi)業(ye)于南京郵電(dian)大學(xue)微電(dian)子學(xue)專業(ye)，曾在(zai)東莞奇力新電(dian)子有(you)限(xian)公司、蘇州可(ke)勝科(ke)技有(you)限(xian)公司任工(gong)程師職務；2009年8月，劉(liu)偉加入東微有(you)限(xian)。
毛振東則為(wei)中國科(ke)學院(yuan)大學集成電路設計(ji)學院(yuan)碩士學歷(li)，曾在華晶電子(zi)集團、華潤上華科(ke)技(ji)有限(xian)公司(si)、蘇(su)州硅能半(ban)導體科(ke)技(ji)股份(fen)有限(xian)公司(si)任職，2015年3月加入東微(wei)有限(xian)。
報告期內(nei)，東(dong)微(wei)半導研發投入分別(bie)為1603萬(wan)元(yuan)、1202萬(wan)元(yuan)、1599萬(wan)元(yuan)和(he)1650萬(wan)元(yuan)，占營收比例分別(bie)為10.49%、6.13%、5.18%和(he)5.14%。截至2021年6月30日，東(dong)微(wei)半導已獲授(shou)權的專(zhuan)利(li)有53項(xiang)，包括境內(nei)發明專(zhuan)利(li)37項(xiang)、實(shi)用新型專(zhuan)利(li)1項(xiang)，以(yi)及境外(wai)專(zhuan)利(li)15項(xiang)。
▲東微半導(dao)研(yan)發投入與占比情況
四、聯合創始人為實際控制人，曾獲華為哈勃投資
由(you)于股(gu)權較為(wei)分散，東微半導(dao)無控股(gu)股(gu)東，其實際控制(zhi)人為(wei)聯合(he)(he)創始人王鵬飛和龔軼，通過直接(jie)或間接(jie)持股(gu)及通過一(yi)致行動安(an)排(pai)合(he)(he)計(ji)共同控制(zhi)了(le)43.51%的股(gu)份。
自(zi)200年創(chuang)建(jian)以來，東微(wei)半(ban)導已獲得多輪融資，投(tou)資者包括元禾資本(ben)、國中創(chuang)投(tou)、中興創(chuang)投(tou)、中芯(xin)聚源、華為哈勃投(tou)資等行業知(zhi)名(ming)投(tou)資機構(gou)。
本次IPO發行(xing)前，持(chi)有(you)東微半導5%以上的非個人股東有(you)原點創(chuang)投、聚(ju)源聚(ju)芯、中新創(chuang)投和(he)哈勃(bo)投資4家(jia)，分(fen)別持(chi)有(you)15.18%、9.95%、7.12%和(he)6.59%的股份。
▲東微半導股本情況
結語：東微半導上市或彌補經營規模缺陷
東(dong)(dong)微(wei)半導(dao)聯合創(chuang)始人王鵬飛曾在(zai)(zai)英(ying)飛凌、奇夢達和復旦(dan)大學等國內(nei)外企業和學校任職，有(you)著較(jiao)強的研(yan)(yan)發實力(li)。同時，東(dong)(dong)微(wei)半導(dao)的自(zi)研(yan)(yan)MOSFET產品(pin)性能較(jiao)為出(chu)色(se)。但相(xiang)比國內(nei)外行(xing)業龍頭，東(dong)(dong)微(wei)半導(dao)經營規(gui)模較(jiao)小(xiao)，在(zai)(zai)研(yan)(yan)發投入(ru)和人員數量(liang)上都存在(zai)(zai)不足。
本次(ci)上(shang)市(shi)后，東微半導或將(jiang)彌補這一缺陷(xian)，加強研發投入和經營規模(mo)上(shang)，擴大(da)國產功率半導體的市(shi)場(chang)份額。
