芯東西（公眾號：aichip001）
編譯?| 王傲翔
編輯 | 程茜
芯(xin)(xin)東西(xi)4月(yue)2日(ri)消息，據彭(peng)博社今日(ri)報道，日(ri)本(ben)政府(fu)批準向(xiang)當地芯(xin)(xin)片企(qi)業(ye)Rapidus提供(gong)高達5900億(yi)(yi)(yi)日(ri)元（約(yue)合(he)281億(yi)(yi)(yi)人(ren)民(min)幣）補貼(tie)，提升(sheng)其半(ban)導體制造(zao)實(shi)力。去(qu)年4月(yue)7日(ri)，日(ri)本(ben)已決定向(xiang)Rapidus投資3300億(yi)(yi)(yi)日(ri)元（約(yue)合(he)157億(yi)(yi)(yi)人(ren)民(min)幣），用(yong)于該企(qi)業(ye)在(zai)北海道興建一座(zuo)半(ban)導體晶(jing)圓廠。這兩次補貼(tie)總(zong)額將近1萬億(yi)(yi)(yi)日(ri)元（約(yue)合(he)438億(yi)(yi)(yi)人(ren)民(min)幣）。
Rapidus成立(li)于2022年(nian)8月10日(ri)，是(shi)日(ri)本官產(chan)合作(zuo)成立(li)的(de)芯片代工企業(ye)。目前，Rapidus已與IBM以及加拿大AI芯片企業(ye)Tenstorrent達成合作(zuo)。這家創(chuang)企CEO是(shi)前蘋(pin)果工程師(shi)、硅(gui)谷(gu)芯片大神Jim Keller。
據悉，Rapidus第一座晶圓廠建設預計今(jin)年年底(di)完工，試(shi)生(sheng)產(chan)線于明年4月啟動。通過結合日本與美國在芯(xin)片方(fang)面的前沿技術，Rapidus有望在2027年量產(chan)速(su)度(du)更快、能效更高的2nm芯(xin)片。
一、補貼用于購買設備，2nm芯片量產2027年啟動
今(jin)日，日本經濟大(da)臣齋藤健（さいとうけん）在接受記者采訪時稱，通過政府的(de)(de)補貼，Rapidus能夠購買(mai)芯片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)設備，并開(kai)發先進的(de)(de)后端芯片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)。在此之前，這(zhe)家芯片(pian)初創(chuang)企業已(yi)經獲得了數十億美元的(de)(de)公共資金，用(yong)于在日本最北部的(de)(de)北海道縣大(da)規(gui)模生(sheng)產(chan)芯片(pian)，并與芯片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)領先企業臺積電和三星競(jing)爭。
據(ju)報道，Rapidus納(na)米技術(shu)和材(cai)料(liao)方(fang)面(mian)的(de)專家正與IBM研(yan)究人員合作，以縮(suo)小與臺積電在(zai)尖(jian)端制造技術(shu)方(fang)面(mian)的(de)差(cha)距。臺積電占據(ju)了全(quan)球先進芯片外包生產的(de)最大份(fen)額，最接近的(de)競爭對手三星多年(nian)來一直在(zai)奮力追(zhui)趕。
此外，2月27日，Rapidus宣布與Tenstorrent合作，共同(tong)開發(fa)和制(zhi)造基(ji)于2nm的邊緣AI加速(su)器(qi)。Tenstorrent將負責AI芯(xin)片的設計(ji)和開發(fa)，Rapidus將利用其位于北海道的在建晶圓廠進(jin)行芯(xin)片生產。
Rapidus總(zong)裁(cai)小池特吉（Atsuyoshi Koike）曾在(zai)2022年12月(yue)(yue)13日的新聞(wen)發布會上稱(cheng)，預計(ji)(ji)到2027年，Rapidus將大(da)規模(mo)生產(chan)2nm或更小制程(cheng)的芯片。Rapidus位(wei)于(yu)北海道千(qian)歲市的第一座晶圓廠“IIM-1”于(yu)2023年9月(yue)(yue)動(dong)工(gong)建設，預計(ji)(ji)今(jin)年12月(yue)(yue)完工(gong)。IIM-1晶圓廠試(shi)生產(chan)線計(ji)(ji)劃于(yu)2025年4月(yue)(yue)啟動(dong)，2nm芯片量(liang)產(chan)計(ji)(ji)劃于(yu)2027年開始。
據(ju)NHK報道，1月22日，Rapidus社長小池淳義(yi)（Junichi Koike）在(zai)(zai)千(qian)歲市舉行(xing)的記者招待會(hui)上宣布，2nm工廠的建(jian)設進(jin)(jin)展順利，試生產線計(ji)(ji)劃按原計(ji)(ji)劃于2025年(nian)4月投(tou)入(ru)使用。關于工廠的建(jian)設，小池淳義(yi)稱：“一天也沒有耽擱，它正(zheng)在(zai)(zai)按計(ji)(ji)劃進(jin)(jin)行(xing)。”他還提到(dao)，Rapidus正(zheng)考慮在(zai)(zai)未來建(jian)設第(di)二(er)座和第(di)三座工廠。
二、還將提供10萬億日元補貼，日本重振全球半導體領先地位
日(ri)本政府對Rapidus的(de)5900億日(ri)元補(bu)貼，是在過去三(san)年中撥出(chu)的(de)約(yue)4萬億日(ri)元（約(yue)合1906億人民幣）轉款的(de)一部分，用于(yu)恢復該國昔日(ri)的(de)芯片(pian)制造實力。日(ri)本首(shou)相(xiang)岸田(tian)文雄（きしだ ふみお）計劃向(xiang)芯片(pian)制造商和私(si)營(ying)部門提供(gong)10萬億日(ri)元（約(yue)合4768億人民幣）的(de)財政支持。
其中(zhong)，日本已向臺積電(dian)位(wei)于日本南(nan)部熊本的首(shou)家晶圓廠(chang)(chang)投(tou)入(ru)數十(shi)億美(mei)元，并向美(mei)國存儲芯(xin)片(pian)巨頭美(mei)光的廣島(dao)工廠(chang)(chang)擴建(jian)項目投(tou)入(ru)數十(shi)億美(mei)元，以生產(chan)先進的動態(tai)隨機(ji)存取內存（DRAM）。
受此消息影響，日(ri)本芯片設(she)備(bei)制(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)(shang)的股票(piao)紛紛上(shang)漲。目(mu)前(qian)，日(ri)本最大(da)半導體設(she)備(bei)制(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)(shang)東京電子的股票(piao)在4月2日(ri)開盤(pan)交易中最高上(shang)漲3.42%，另一家(jia)半導體設(she)備(bei)制(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)(shang)迪思科（Disco）股票(piao)上(shang)漲2.3%。
▲東京(jing)電子股票4月2日開盤情況（圖源：英為財情）
日益緊張的地緣政治局(ju)勢正促(cu)使世界各國政府加強國內生產半導(dao)體的能力。半導(dao)體對汽(qi)車(che)、發電(dian)廠以及消(xiao)費電(dian)子(zi)產品的運(yun)行至關重要(yao)。美國此(ci)前也承諾(nuo)向(xiang)芯片制造商提供數十億美元的資金，但因建廠許可證(zheng)和財政補貼分配方(fang)面的原因，臺(tai)積(ji)電(dian)等企業(ye)延遲了在(zai)美國建設工(gong)廠的計劃。
齋藤(teng)健(jian)認為，日本三十年(nian)的經(jing)濟停滯和(he)國(guo)際競爭(zheng)力的喪失，部(bu)分原因是(shi)日本對半(ban)導體在(zai)數字(zi)化、去(qu)碳化和(he)經(jing)濟安全方(fang)面的重要性缺乏了(le)解。他說道：“我們可以毫不夸(kua)張地說，芯(xin)片是(shi)日本和(he)世(shi)界工業(ye)的基礎。”
小池特吉在今年2月(yue)27日舉行的新聞發布會上說：“未(wei)來(lai)，AI將(jiang)應(ying)用于(yu)所(suo)有產品，能否(fou)迅(xun)速生產出(chu)滿足客(ke)戶需求的AI芯(xin)片對于(yu)企業競爭力(li)至關重(zhong)要。”
結語：投資半導體企業，日本“野心”初顯
此次對Rapidus的(de)(de)補(bu)貼作為日(ri)本對半導體企(qi)業(ye)投資的(de)(de)一部分，釋放出日(ri)本政(zheng)府欲加強與半導體企(qi)業(ye)的(de)(de)合作、尋求尖端(duan)制(zhi)造業(ye)突破(po)的(de)(de)信號。
2nm作為當前最(zui)前沿的(de)(de)芯片制程工藝，對半導體產業的(de)(de)發展至關(guan)重(zhong)要(yao)。若Rapidus在2027年成(cheng)功量產2nm芯片，日本(ben)有(you)望進一步提(ti)升(sheng)其半導體產業的(de)(de)競(jing)爭力(li)，縮小與臺積電(dian)等全(quan)球半導體制造巨頭的(de)(de)技術差距。
來源：彭博社
