
智東西(公眾號:zhidxcom)
編譯 |? 梁穎琳
編輯 |? 云鵬
智(zhi)東西4月10日(ri)消息,據《首爾經濟日(ri)報》報道,三星電子近日(ri)宣布啟動“夢(meng)想(xiang)制程(?? ??? ??)”1nm芯片研發,預計2029年后實現量產(chan),旨在(zai)通過顛覆(fu)性技術突破追(zhui)趕臺積(ji)電(TSMC)。
三(san)星(xing)(xing)電(dian)(dian)子正在(zai)為下一(yi)代半導體技術(shu)發(fa)起總攻(gong),這標志(zhi)著韓國(guo)巨(ju)頭正在(zai)向比2nm更先進的制程技術(shu)邁進。盡管當前在(zai)3nm、2nm節(jie)點落后于(yu)臺積電(dian)(dian),但(dan)三(san)星(xing)(xing)計劃(hua)通過(guo)顛(dian)覆性(xing)技術(shu)路線在(zai)2029年后實(shi)現(xian)1nm工藝量產,目標直指AI芯片市場的爆(bao)發(fa)式增長(chang)需求(qiu)。
一、打破設計框架:1納米節點的技術革新
1nm節點需要徹底突破現有芯(xin)片設計框架,涉及高數值孔徑極紫外光刻(High-NA EUV)等下一代設備的全面導入。
三星內(nei)部已將部分(fen)參與2nm研發的(de)工程師(shi)調任至1nm項(xiang)目(mu)組,顯(xian)示(shi)出對該項(xiang)目(mu)的(de)戰略重視(shi)。
目前三星公開(kai)的(de)(de)最新(xin)制程路線圖顯示,2027年計劃(hua)量產的(de)(de)1.4nm工藝(yi)仍是其最先進節(jie)點,而(er)臺積電已于去年宣布將在(zai)(zai)2026年下半年啟動1.6nm工藝(yi)量產,技術代差仍客觀存在(zai)(zai)。
二、制程良率差距拉大,三星加速技術突圍
三星在3nm和(he)2nm工藝(yi)上與臺(tai)積電存在技術差(cha)距(ju),臺(tai)積電的2nm工藝(yi)良率已經(jing)超過60%,而三星的良率相對較低。
三(san)星(xing)電子副會長李在镕上月特別強調(diao)“繼承技術優先傳(chuan)統(tong)”,要求管理層(ceng)“用世界不存(cun)在的技術創造(zao)未來”。
這一表態(tai)被(bei)解讀為(wei)對制程競(jing)賽受挫的(de)危機應(ying)對,也是推動1nm提(ti)前研發的(de)直接動因。
此(ci)外,三星(xing)還在(zai)加(jia)大研(yan)發(fa)投入,計劃(hua)引入高數值孔徑EUV光刻設備(bei),以(yi)期在(zai)1nm制程上實現(xian)技術(shu)突破,從(cong)而在(zai)未來的AI芯片市(shi)場中(zhong)重新確立領(ling)先地位。
三、AI芯片技術競賽下,技術代差成新籌碼
隨著(zhu)AI訓練算(suan)力需(xu)求每6個(ge)月翻倍,芯片(pian)制程的突破成為決定性(xing)因素。
臺積(ji)電(dian)通(tong)過新(xin)增1.6nm節點搶(qiang)占過渡期(qi)市場(chang),而三星選擇直(zhi)接跨越至1nm,試圖通(tong)過技術代(dai)差實現(xian)彎道(dao)超車。
三星代工事業(ye)部新任社長韓進(jin)滿(man)近期密(mi)集拜訪DeepX等本土(tu)AI芯片初(chu)創企業(ye),顯示(shi)其(qi)正加速構建產業(ye)協(xie)同(tong)。
結語:制程革命能否重塑競爭格局?
從當前3nm節點的(de)良率差(cha)距,到2nm節點可能擴大的(de)技術代差(cha),三(san)星的(de)1nm戰(zhan)略(lve)既是技術追趕,也是路徑重塑。
高(gao)數值孔徑(jing)EUV設(she)備的引入將使單(dan)片晶(jing)圓(yuan)成本顯著增加,這種“燒錢(qian)式”技術競賽可(ke)能重塑全球代工市場格局。
對(dui)于(yu)AI芯片開發商(shang)而言,制程節點的突破不僅(jin)是性能提升,更是決定(ding)未來算力生態的關(guan)鍵變量。
當(dang)臺積電(dian)在(zai)(zai)(zai)2026年啟動1.6nm量產時,三星能否(fou)在(zai)(zai)(zai)2029年用1nm工藝扭轉戰局(ju),這場(chang)技術賽跑的勝負或將在(zai)(zai)(zai)未(wei)來三年見分曉(xiao)。
來源(yuan):首爾(er)經(jing)濟日(ri)報、Samsung Newsroom