芯東西（公眾號：aichip001）
作者 | ?ZeR0
編輯 | ?漠影
芯(xin)(xin)東西6月3日報道，5月28日，浙(zhe)江存儲芯(xin)(xin)片設計公(gong)司及AI存算解決方案供應商(shang)力積存儲遞表港交所。
力積存(cun)儲成立于2020年(nian)3月(yue)，注冊資本(ben)為1000萬元，是國內(nei)少數(shu)幾家開發(fa)出高帶寬(kuan)3D堆(dui)疊內(nei)存(cun)技術的公司(si)之一，擁有DRAM及存(cun)算產品的自(zi)主研發(fa)技術，并將(jiang)AI存(cun)算解決方案視作未來(lai)核心競爭(zheng)力。
2024年，力積存儲售出超過1億顆內存芯片（包括模塊及晶圓內含有的芯片），年收入達6.46億元，入選(xuan)國家級專精特(te)新(xin)“小巨(ju)人”企(qi)業。
根據弗若斯特沙利文的資料，按2024年利基DRAM收入計，力積存儲在全球利基DRAM市場的中國內地公司中排名第四。其DDR3產品(pin)占據中國內地電(dian)信運營商WiFi6 & GPON市(shi)場相當(dang)可觀(guan)的市(shi)場份額。
IPO文件顯示，力積存儲是中國AI存算行業的先行者，掌握了WoW 3D異構集成核心技術，在積極推進并力爭成為率先實現高帶寬內存（HBM）產品量產的中國內地公司之一，AI存算用內存產品的客戶包括中國AI算力芯片公司江原科技、一家中國高性能異構AI算力芯片公司和一家中國CPU龍頭。
該公司正在開發大型AI存算解決方案，以滿足超大規模數據中心和超大規模AI訓練集群的需求，下一代產品預計可提供18GB的容量及57.6TB/s的帶寬，同時維持出色的隨機存取<1pJ/bit及頁面存取<0.5pJ/bit的電源效率。
其內存產品已迅速擴展各個領域，包括機器人、智能音箱、Wi-Fi、安防應用、個人計算機工作站、服務器、汽車電子、能源與工業控制系統，成為聯想開天等國內領先的計算機及服(fu)務器制(zhi)造商的供應(ying)商。
一、創始人是龍芯中科創始人的哥哥，技術人員大多來自日韓存儲芯片企業
力積存儲的歷史可追溯至2020年，彼(bi)時其創(chuang)始人、控(kong)股股東應偉(wei)認識到DRAM的潛(qian)力，并收購Zentel Japan的大部分股權(quan)。
Zentel Japan成立于2003年9月，已開發出一(yi)系列內存產品，包括110nm、90nm、70nm、63nm、38nm及(ji)25nm產品，均由(you)世(shi)界(jie)頂尖(jian)晶圓代工廠之一(yi)的力積電制造。
以Zentel Japan所累積(ji)的(de)經驗為基(ji)礎，力積(ji)存(cun)儲已成為國內為數(shu)不多擁有(you)從SDR到DDR4完整內存(cun)產品迭代的(de)內存(cun)設(she)計公司之一。
力積存儲剛成立時，由(you)天津灝(hao)鑫、龍(long)芯中(zhong)科分別持(chi)股95%、5%。龍(long)芯中(zhong)科為國產(chan)CPU龍(long)頭企(qi)業，其創始人胡(hu)偉(wei)武是應偉(wei)的弟弟。
應偉現任力(li)積(ji)存(cun)儲的董事會主席兼非(fei)執行(xing)董事。目前，應偉、Advance Faith Investing Limited、游(you)獵資本有(you)限公司、寧(ning)波(bo)游(you)獵、寧(ning)波(bo)鷹(ying)溪、杭州(zhou)鼎轅、田垣力(li)積(ji)、鷹(ying)溪一號(hao)、杭州(zhou)鷹(ying)溪、鷹(ying)溪四(si)號(hao)、鷹(ying)溪五號(hao)及Eaglestream Partners是力(li)積(ji)存(cun)儲的控股(gu)股(gu)東。
2024年，其董事、監(jian)事、主要(yao)行政人員的(de)薪酬如下(xia)：
力積存儲(chu)的(de)管理層及(ji)核心團(tuan)隊擁(yong)有深厚的(de)行業(ye)經驗和豐富的(de)技術(shu)積累：
- 執行董事兼總經理于曉，曾在西安紫光國芯擔任高級副總裁；副主席兼執行董事林國雄，曾擔任力積電子股份有限公司及愛普科技股份有限公司的副總裁；
- 杭州研發部門負責人金峻虎，曾于SK海力士、英飛凌、濟州半導體和華邦電子負責監督DRAM的設計和營銷，擁有約30年的DRAM設計和管理經驗；
- 日本研發中心總監久保貴志，曾在三菱電機和瑞薩電子擔任高級工程師，擁有超過25年的DRAM研發經驗。
該公司(si)核(he)心技術人員大多來(lai)自SK海力士等知(zhi)名(ming)半導體企業。
截(jie)至2024年12月31日，其研(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)部門由73名成(cheng)員(yuan)(yuan)組成(cheng) ，占總員(yuan)(yuan)工人數的約(yue)53.3%，其中杭州研(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)團隊有52名成(cheng)員(yuan)(yuan)，由來(lai)自韓國的核心專家(jia)領(ling)導，專注于開發(fa)(fa)(fa)標準(zhun)化內存芯(xin)片(pian)產(chan)品(pin)；日本(ben)研(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)團隊由11名成(cheng)員(yuan)(yuan)組成(cheng)，專注于定制內存產(chan)品(pin)和堆疊結構產(chan)品(pin)（如高帶寬內存）。
力積(ji)存儲(chu)擁有國際化的研(yan)發(fa)中(zhong)(zhong)心，并在客(ke)戶集中(zhong)(zhong)的區域建立(li)銷售(shou)(shou)和工程支持，已在日本、歐洲等多個主要海(hai)外市場布(bu)局銷售(shou)(shou)網(wang)絡。
截至最后實際可行日期，力積存(cun)儲已(yi)注(zhu)冊專(zhuan)利69項（包括中(zhong)國(guo)(guo)的60項及日本的9項），并在(zai)中(zhong)國(guo)(guo)注(zhu)冊集(ji)成(cheng)電路布圖設(she)計11項。
二、三年累計收入18億，售出2.88億顆芯片
2022年、2023年、2024年，力(li)積存儲(chu)的收入分別(bie)為6.10億元、5.80億元、6.46億元，年內凈(jing)虧損分別(bie)為1.39億元、2.44億元、1.09億元，毛(mao)利(li)率分別(bie)為-2.1%、3.7%、9.3%，研發開支分別(bie)為7402.9萬元、7724.2萬元、9576.2萬元。
▲2022年(nian)~2024年(nian)力積存儲營收、年(nian)內利潤、研發支出(chu)變化(hua)（芯東西制圖）
2023年(nian)凈虧損(sun)增加(jia)，主要是由于年(nian)內產生大量股(gu)份支(zhi)付費用。其毛(mao)利率(lv)一直承受(shou)原(yuan)材(cai)料成(cheng)本(ben)及庫(ku)存(cun)管(guan)理的(de)壓(ya)力，由2022年(nian)的(de)2.1%毛(mao)損(sun)率(lv)改(gai)善至2024年(nian)的(de)毛(mao)利率(lv)9.3%。
隨著DRAM與AI存(cun)算相(xiang)關行業近期發展，力(li)積(ji)存(cun)儲主要(yao)產品的銷售收入與銷量(liang)均整體(ti)上升，過去三年，售出總計(ji)2.88億顆芯片，總存(cun)儲容量(liang)共7730萬GB。
其中(zhong)，DRAM芯片(pian)銷售所產生的收益分別為(wei)5.37億(yi)元、4.84億(yi)元、4.54億(yi)元。
同期(qi)，力積(ji)存儲的經營(ying)現金(jin)流(liu)出(chu)凈(jing)額持續收窄。2024年，其(qi)經營(ying)活動所用現金(jin)凈(jing)額為1820萬元(yuan)(yuan)，流(liu)動負債凈(jing)額為5920萬元(yuan)(yuan)，庫存為1.53億元(yuan)(yuan)。
力(li)積存儲已在浙(zhe)江金華擁有(you)測(ce)試工廠，并計劃(hua)進(jin)一步(bu)強化產品(pin)測(ce)試能力(li)，還計劃(hua)進(jin)一步(bu)開拓產業鏈(lian)中的封裝測(ce)試產能，并適時通過投資并購等方式擴充現有(you)的業務體系，確(que)保穩(wen)定高效(xiao)的產能供應。
三、手握四大產品線，尋求并購整合機會
力積存儲的核心競(jing)爭力在于半導(dao)體(ti)設計，主要(yao)產品包括(kuo)內存芯片(pian)、內存模(mo)組(zu)、內存KGD晶圓(yuan)以(yi)及AI存算解決(jue)方案。
（1）內存芯片：商(shang)業(ye)級內(nei)存芯片主要應用于消費電(dian)子和(he)(he)網絡通(tong)信（如機(ji)器(qi)人、智能(neng)音(yin)響及Wi-Fi設備等），工業(ye)級內(nei)存芯片則專為更高(gao)要求(qiu)的工業(ye)控制應用服務，尤其能(neng)夠滿(man)足極(ji)低(di)溫環(huan)境(jing)下的可靠性(xing)要求(qiu)，確保(bao)在極(ji)端(duan)使用條(tiao)件(jian)下的穩定性(xing)和(he)(he)長壽命。
（2）內存模組：由存儲芯片顆粒(li)與PCB主板經過(guo)精密封裝工藝整合(he)而成，廣泛(fan)應用(yong)于高端運算產(chan)品，如行業級PC和企業級服務器等。
（3）內存KGD晶圓：主要為SoC廠商提供定制化內存(cun)KGD（已知合(he)格(ge)芯片(pian)）晶圓(yuan)。在芯片(pian)設計階段，力積存(cun)儲針對客(ke)戶需(xu)求進行精準的晶圓(yuan)測試(shi)，并(bing)將合(he)格(ge)的晶圓(yuan)交付給(gei)下游(you)廠商用于后(hou)續封裝加工。
（4）AI存算解決方案：涵(han)蓋AI存(cun)(cun)(cun)算用(yong)(yong)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)芯片、AI存(cun)(cun)(cun)算用(yong)(yong)高帶(dai)寬(kuan)WoW 3D堆疊產品、以及AI存(cun)(cun)(cun)算用(yong)(yong)新型存(cun)(cun)(cun)儲(chu)器周邊(bian)(bian)(bian)產品及服(fu)務，可廣泛(fan)應(ying)用(yong)(yong)于(yu)AI推理(li)、邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)計(ji)算、智能駕駛(shi)等前沿領域，預計(ji)可有效(xiao)(xiao)緩解數據(ju)密集(ji)型AI應(ying)用(yong)(yong)的存(cun)(cun)(cun)儲(chu)瓶頸，尤其(qi)是在(zai)邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)運算和AI推理(li)等場景中，提升計(ji)算效(xiao)(xiao)率和存(cun)(cun)(cun)算一體化性能。
當前力(li)積存(cun)儲(chu)正在開發(fa)的(de)AI存(cun)算解決方案包(bao)括(kuo)：1）高帶(dai)寬3D堆疊內(nei)存(cun)芯(xin)(xin)片；2）用于(yu)AI應用的(de)以(yi)存(cun)取為中(zhong)心的(de)高帶(dai)寬內(nei)存(cun)芯(xin)(xin)片；3）用于(yu)先進封裝的(de)硅中(zhong)介層。
各(ge)類產品(pin)線的銷量（以GB計）及每GB平均售價如下：
力積存儲計劃逐步(bu)提升(sheng)產業鏈(lian)整(zheng)合(he)的能力，尋求(qiu)產業鏈(lian)相關的投(tou)資機會。
該公司希望尋求內(nei)存(cun)(cun)處(chu)理(li)具有(you)領先技術優(you)勢或商(shang)業化場景落地的公司，通過(guo)并購，加快推進在(zai)高帶(dai)寬內(nei)存(cun)(cun)領域的布局，通過(guo)內(nei)部(bu)研究與外部(bu)投資整(zheng)合來加快AI算力一體(ti)產(chan)品開(kai)發及應(ying)用創(chuang)新。
四、已與AI芯片公司、CPU龍頭達成戰略合作，硅中介層預計今年產生收入
力積存儲正致力于AI存算用內存產品的研發及市場開拓，目前合作伙伴超過20家，創新產品客戶包括：江原科技有限公司 （一家中國領先的AI算力芯片公司）、一家中國高性能異構AI算力芯片公司、一家中國頂尖的CPU開發商。
在高帶寬內存（HBM）領域，力積存儲計劃于2026年實現首款高帶寬3D堆疊內存芯片商業化，亦計劃在2026年前將第一代以存儲為中心的高帶寬內存芯片HSM（混合堆疊內存）產品商業化量產，同時已提前布局開發更先進的HSM2產品。
力積存(cun)儲(chu)的(de)AI存(cun)儲(chu)解決(jue)方案的(de)技(ji)術(shu)基石包(bao)括WoW 3D異(yi)構集成技(ji)術(shu)、定制3D-IC堆疊技(ji)術(shu)、基于芯片的(de)SiP技(ji)術(shu)、獨立邏輯芯片設計與(yu)開發技(ji)術(shu)等，亦提供轉為高密度互連應用定制的(de)硅中介(jie)層解決(jue)方案。
作(zuo)為高(gao)性能(neng)芯(xin)片CoWoS高(gao)密(mi)度互(hu)(hu)連封(feng)裝(zhuang)中的(de)(de)(de)關鍵元件(jian)，硅中介層能(neng)夠(gou)實現(xian)異構芯(xin)片之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)電氣互(hu)(hu)連，具備(bei)更(geng)高(gao)的(de)(de)(de)互(hu)(hu)連密(mi)度、更(geng)強的(de)(de)(de)帶寬性能(neng)以及更(geng)低的(de)(de)(de)功耗。
今年5月，力積存儲已就從自家采購硅中介層與一間中國AI計算公司訂立采購合約，這意味著其硅中介層解決方案商業化，預計將在今年12月31日前通過該等銷售產生收入。
同時，該公(gong)司(si)通過戰(zhan)略(lve)聯(lian)(lian)盟與(yu)(yu)聯(lian)(lian)合創新(xin)，深化(hua)(i)與(yu)(yu)商業伙伴力積電(dian)在先(xian)進晶(jing)圓制(zhi)程(cheng)及(ji)(ii)與(yu)(yu)一(yi)家中國(guo)高(gao)性能異構(gou)AI計算芯(xin)片創新(xin)者在3D堆疊與(yu)(yu)定制(zhi)高(gao)帶寬存儲方面的(de)合作。
今年，力積存儲已與力積電簽訂開發協議，開發基于19nm及以下制程的內存產品。
五、已與100多家客戶合作，力積電是唯一代工商
力積存儲采用直銷與經銷相結合的模式，與眾多全球知名客戶緊密合作，已成功將產品應用至消費電子、網絡通信、汽車電子、功耗邊緣計算及工業控制系統等市場領域，并成功開發了聯想開天等知名客戶，促進其產品及技(ji)術(shu)在智(zhi)能(neng)電視、影(ying)音(yin)播放、電腦(nao)、服(fu)務(wu)器等場景的應用。
多年來，力積存儲已經與全球100多家客戶建立了堅(jian)實(shi)的基礎(chu)及業務合作關系。
其最終客戶涵蓋各(ge)類(lei)行(xing)業(ye)，包括涉(she)及打印(yin)機制造、路由器(qi)制造、網絡(luo)設備(bei)和(he)物聯網系統(tong)SoC芯(xin)片設計的財富500強(qiang)公司(si)或中(zhong)國500強(qiang)企業(ye)。
截至2024年12月31日止三個年度，來自(zi)其五(wu)大客(ke)戶的收入(ru)分別約為3.90億元(yuan)(yuan)、3.88億元(yuan)(yuan)、3.36億元(yuan)(yuan)，分別占相應年度總收入(ru)的約64.0%、66.8%、52.0%。
DRAM成(cheng)(cheng)本主要由晶圓制(zhi)造(zao)、封裝及測試構成(cheng)(cheng)。其中晶圓制(zhi)造(zao)約占(zhan)總成(cheng)(cheng)本的70%-80%，封裝及測試占(zhan)比約20%-30%。
2022年(nian)、2023年(nian)、2024年(nian)，力(li)積電一直是力(li)積存儲唯一的第(di)三方代工供應(ying)商(shang)，從力(li)積電的采購(gou)價值分(fen)別(bie)占同期總采購(gou)額的34.4%、49.1%、42.4%。
此(ci)外，力積存儲亦(yi)從有限數量的外包(bao)半(ban)導體(ti)封裝和測試公(gong)司采(cai)購封裝、測試及組裝服務(wu)，包(bao)括福(fu)懋科技及南茂科技。
截至2024年12月31日止三(san)個年度，力(li)積存儲向前五大供應(ying)商(shang)采購的金額分別(bie)約為(wei)6.73億(yi)元、4.76億(yi)元、4.51億(yi)元，分別(bie)占(zhan)同期(qi)采購總額約97.0%、88.6%、76.2%。
近三年，內(nei)(nei)存芯片公(gong)司愛普科(ke)技既是(shi)力積(ji)存儲(chu)的供應(ying)商，也是(shi)客戶(hu)。力積(ji)存儲(chu)向愛普科(ke)技采購內(nei)(nei)存晶圓(yuan)，作(zuo)為內(nei)(nei)存產品的主要(yao)原材料。Zentel Japan在(zai)2022年為愛普科(ke)技提供了芯片設計(ji)服務。
力積存儲(chu)與愛(ai)普科技(ji)就服務(wu)條款和(he)采(cai)購條款進行的(de)協商(shang)是按個(ge)別基準進行，提供設計服務(wu)和(he)采(cai)購既(ji)不(bu)相互關聯(lian)，亦不(bu)互為(wei)條件。
六、全球利基DRAM市場，排名國內第四
2024年，全球集成電路市(shi)場規(gui)模達38065億元。其(qi)中，存(cun)儲芯(xin)片市(shi)場規(gui)模為(wei)11897億元，占(zhan)集成電路市(shi)場的31.3%，成為(wei)僅次(ci)于邏輯芯(xin)片的第二大(da)細分領(ling)域。
按營收市場份額計算，DRAM（動態(tai)隨機存(cun)取存(cun)儲器）在(zai)全球存(cun)儲芯片(pian)市場中占(zhan)據(ju)主導地位，2024年(nian)市場規模達6979億(yi)元，使其成為(wei)存(cun)儲芯片(pian)市場最大的(de)細分市場，占(zhan)58.7%的(de)份額。
DRAM是一種使用電(dian)容存(cun)儲(chu)數據(ju)(ju)的隨機存(cun)取存(cun)儲(chu)器（RAM），需要定(ding)期刷(shua)新以保(bao)持數據(ju)(ju)完(wan)整性，成(cheng)本(ben)相對較低且集(ji)成(cheng)度較高。其市(shi)場供應(ying)側高度集(ji)中(zhong)，三家頭部海外廠商占據(ju)(ju)約(yue)95%市(shi)場份(fen)額，而中(zhong)國企業僅占極小比例。
DRAM市(shi)(shi)場可(ke)分為主流和利基型市(shi)(shi)場。目(mu)前市(shi)(shi)場上的主流型DRAM產品為容量(liang)8Gb以(yi)上的DDR4以(yi)及后代DRAM。容量(liang)8Gb及以(yi)下的DDR4和前代DRAM則被(bei)視為利基DRAM。
力積存(cun)儲(chu)專注于利(li)基DRAM市場，目前包括8Gb DDR4及更(geng)早代際的產品(pin)，為多種應(ying)用提供完整的定制化(hua)存(cun)儲(chu)解決方案。
2024年(nian)(nian)，全球利基DRAM市(shi)場(chang)規模達到人(ren)民幣596億(yi)元，以收(shou)(shou)入(ru)計(ji)算，力積(ji)存(cun)儲2024年(nian)(nian)的(de)市(shi)場(chang)份(fen)(fen)額為0.8%。2024年(nian)(nian)，中國內(nei)地(di)廠商合計(ji)實現收(shou)(shou)入(ru)45億(yi)元，占全球市(shi)場(chang)總額的(de)7.6%。就(jiu)中國內(nei)地(di)廠商的(de)合計(ji)收(shou)(shou)入(ru)而言，力積(ji)存(cun)儲排(pai)名第四，市(shi)場(chang)份(fen)(fen)額為11.3%。
主(zhu)流DRAM市(shi)(shi)場(chang)(chang)由前三大韓國(guo)及美國(guo)廠(chang)(chang)商(shang)(shang)主(zhu)導，極少數中國(guo)內地與臺(tai)灣廠(chang)(chang)商(shang)(shang)實現(xian)了技術突破并實現(xian)商(shang)(shang)業(ye)化(hua)。此類(lei)產品具有大容量、高傳輸速率的特點，主(zhu)要應用于智能(neng)手(shou)機、個人電腦(nao)、服務器(qi)等大規模(mo)標準化(hua)電子(zi)設備。其市(shi)(shi)場(chang)(chang)特征表現(xian)為(wei)標準程度(du)高、市(shi)(shi)場(chang)(chang)規模(mo)龐大、下游應用集中、周期(qi)性顯著(zhu)且技術迭代迅速。
相比之下，利基DRAM與主流產(chan)品(pin)相比性能(neng)要求不那么嚴格，依賴成熟工藝技術，市(shi)場(chang)規模較小，更(geng)注重(zhong)產(chan)品(pin)的(de)定(ding)制化、更(geng)優的(de)性價比、長生命周期(qi)支持和可靠性，在滿足(zu)消費電子、汽(qi)車、通(tong)訊、工業應用、醫療設備(bei)等(deng)行業的(de)多(duo)樣(yang)化需(xu)求中扮演關鍵角色，市(shi)場(chang)波動比整體DRAM市(shi)場(chang)（尤其是主流DRAM市(shi)場(chang)）更(geng)為(wei)溫(wen)和。
中國是全球利(li)基DRAM市(shi)場(chang)中最(zui)大的市(shi)場(chang)，占全球市(shi)場(chang)的60%以上。目前，國際(ji)領(ling)先企(qi)業(ye)正逐步退出(chu)利(li)基DRAM市(shi)場(chang)，未來競(jing)爭環境(jing)有(you)望改善。
利基DRAM市(shi)場(chang)主要(yao)特征為需求(qiu)差異化(hua)，來自韓國(guo)和(he)美國(guo)的(de)前三大廠商仍(reng)占據(ju)總市(shi)場(chang)份額的(de)約(yue)70%，同時中(zhong)國(guo)臺灣的(de)多家廠商表現活躍，中(zhong)國(guo)內地廠商正通(tong)過聚(ju)焦低容量(liang)消費電子、汽車、通(tong)訊及工業控(kong)制等(deng)細分場(chang)景提升市(shi)場(chang)份額。
結語：中國內地廠商有望持續擴大市場份額
歷史上，DRAM市(shi)場為(wei)周期性市(shi)場，曾(ceng)出現(xian)低谷期。該低谷期表現(xian)為(wei)產(chan)(chan)品需求減少、產(chan)(chan)能過剩、庫(ku)存水平較(jiao)高(gao)以及(ji)售價(jia)(jia)和庫(ku)存價(jia)(jia)值下降。例如，2020年(nian)全球DRAM產(chan)(chan)業的(de)市(shi)場規模為(wei)4624億元(yuan)，2021年(nian)增加至6124億元(yuan)，2023年(nian)回落至3654億元(yuan)，并于2024年(nian)反彈至6979億元(yuan)。
展望未來，盡管供(gong)需動(dong)態可能(neng)波動(dong)，但AI應用的快(kuai)速發展、消費電子的擴張以及技術創新(xin)將在長(chang)期內持(chi)續(xu)推動(dong)市場增(zeng)長(chang)。根據弗若斯特(te)沙利(li)文的資料，自2025年至(zhi)2029年，全球計(ji)算能(neng)力預計(ji)將增(zeng)長(chang)兩倍，而AI服務器(qi)的出貨量預計(ji)將翻(fan)倍，這將推動(dong)高帶(dai)寬(kuan)堆疊(die)DRAM市場的爆炸(zha)式增(zeng)長(chang)。
近(jin)年來，中國企業加大(da)了在DRAM市場(chang)(chang)的研發投入和(he)市場(chang)(chang)拓展力(li)度，疊加政策支持及下游市場(chang)(chang)對本(ben)土(tu)供(gong)應(ying)鏈需求的增長，在特定細分領域的產品(pin)開發和(he)市場(chang)(chang)滲(shen)透方(fang)面已(yi)取得顯著進(jin)展。預計未(wei)來幾年，DRAM的本(ben)土(tu)自給率將持續(xu)上升(sheng)。
力(li)積(ji)存儲(chu)擬采取加(jia)強高帶(dai)寬(kuan)內存產(chan)品(pin)技術(shu)、擴大產(chan)品(pin)組(zu)合、提升(sheng)產(chan)業鏈整合能(neng)力(li)、堅持(chi)不懈(xie)地實施(shi)全球化戰略等(deng)戰略，進(jin)一步鞏固(gu)市場(chang)領(ling)導地位(wei)，并計劃持(chi)續在海外(wai)市場(chang)擴大業務版圖。
