芯東西（公眾號：aichip001）
作者 | ?ZeR0
編輯 | ?漠影

芯東西6月(yue)24日(ri)報道，今日(ri)，國內半導體刻(ke)蝕設備(bei)龍(long)頭中微公司宣布，其刻(ke)蝕設備(bei)系列(lie)喜迎又一(yi)里程碑：Primo Menova 12寸(cun)金屬(shu)刻(ke)蝕設備(bei)全(quan)球首臺機順利付運國內一(yi)家重要(yao)集成電路研(yan)發設計及制造(zao)服務(wu)商(shang)。

這標(biao)志著中微公司在等離子(zi)體刻蝕領域的又一自主(zhu)創新。

中微公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65nm到14nm、7nm和5nm及其他先(xian)進(jin)(jin)的集成電(dian)路加(jia)工制造生(sheng)產線(xian)及先(xian)進(jin)(jin)存儲、先(xian)進(jin)(jin)封裝(zhuang)生(sheng)產線(xian)。

其CCP電容性高能等離子體刻蝕機和ICP電感性低能等離子體刻蝕機，可覆蓋國內95%以上的刻蝕應用需求，在性能(neng)優秀、穩定(ding)性高(gao)等方面(mian)滿足了客戶(hu)先進制(zhi)程中各類嚴苛要求。

截至2024年年底，該公司累計已有超過6000臺等離子體刻蝕和化學薄膜設備的反應臺，在國內外137條生產線實(shi)現量產和(he)大規模重復性銷售。

中微公(gong)司的(de)12英(ying)寸ICP單腔刻蝕設(she)備(bei)Primo Menova專注于金屬刻蝕，尤其擅長于金屬Al線、Al塊的(de)刻蝕，可廣泛應用(yong)于功(gong)率(lv)半導體、存儲器件和先進(jin)邏輯芯片的(de)制造(zao)，是晶(jing)圓廠金屬化(hua)工藝主要(yao)設(she)備(bei)之一。

Primo Menova基于(yu)中微量產的(de)(de)ICP刻蝕產品Primo Nanova研發制造，秉承了優異的(de)(de)刻蝕均一(yi)性(xing)控(kong)制，可達到高(gao)速率、高(gao)選擇比及低底層介質(zhi)損傷等(deng)刻蝕性(xing)能。

這(zhe)一系統搭(da)配高效率腔(qiang)體(ti)清潔工藝，可減少(shao)腔(qiang)室污染，延長(chang)腔(qiang)體(ti)持續運行時間；還(huan)集成(cheng)了配備高溫水蒸(zheng)氣的除膠(jiao)腔(qiang)室（strip chamber），高效去除金屬(shu)刻蝕后晶圓表面殘留光(guang)刻膠(jiao)及副產物(wu)。

Primo Menova和除膠腔體可根(gen)據客(ke)戶(hu)工藝需求靈活(huo)搭配，最(zui)大程度滿足客(ke)戶(hu)高(gao)生產(chan)效率的要求，確保機(ji)臺在高(gao)負荷生產(chan)中的穩定性與良率。

中微公司(si)資深副總(zong)裁叢海透露(lu)：“中微公司(si)開發的(de)一系列刻(ke)蝕設備在性(xing)能、穩定性(xing)等方面滿足(zu)了(le)客戶的(de)高標準要求，并可覆(fu)蓋國內大多數(shu)的(de)刻(ke)蝕應用需求。”

該公司最近十年著重開(kai)發多種(zhong)(zhong)導體和(he)半(ban)導體化學(xue)(xue)薄膜設備(bei)，如MOCVD、LPCVD，ALD和(he)EPI設備(bei)，也在布局光(guang)學(xue)(xue)和(he)電子(zi)束量檢(jian)測設備(bei)，并(bing)開(kai)發多種(zhong)(zhong)泛半(ban)導體微觀(guan)加(jia)工設備(bei)。這些(xie)設備(bei)都是制造各(ge)種(zhong)(zhong)微觀(guan)器(qi)件的關(guan)鍵設備(bei)，可(ke)加(jia)工和(he)檢(jian)測微米(mi)級(ji)和(he)納米(mi)級(ji)的各(ge)種(zhong)(zhong)器(qi)件。

在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導體設備客戶滿意度調查中，中微公司四次獲得總評分第三，薄膜設備四次被評為第一。

根據市場及客戶需求，中微公司顯著加大研發力度，目前在研項目涵蓋6大類、超過20款新設備的開發。其研發新產品的速度顯著加快，過去通常需要3~5年開發一款新設備，現在只需2年或更短時間就能開發出有競爭(zheng)力的新設備，并順利進入市場。

2024年，中微公司研發總投入(ru)達到24.5億(yi)元(yuan)，比2023年增(zeng)加了94.3%，占營業收入(ru)比例約為27%，遠高于科創(chuang)板(ban)上市公司平均研發投入(ru)占收入(ru)比例的10%到15%。